特許

J-GLOBAL ID：200903056839703164

シリコンウェハ及びその製造方法

発明者： 名 倉 みゆき
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-271349
公開番号（公開出願番号）：特開平9-110589
出願日： 1995年10月19日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】【課題】 結晶方位を容易に示すことができるシリコンウェハ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明のシリコンウェハは、真円形状を有するシリコンウェハにおいて、それぞれ態様の異なるベベルを備え、各ベベルの境界方向が結晶方位を示している。本発明のシリコンウェハの製造方法は、シリコンウェハ結晶を引上げる時に形成される結晶方位を示す晶癖線を残して外周加工するステップと、晶癖線を境界にして、それぞれ態様の異なるベベルを加工するステップとを有する。

請求項（抜粋）：

真円形状を有するシリコンウェハの周辺に、それぞれ態様の異なるベベルを備え、各ベベルの境界方向が結晶方位を示していることを特徴とするシリコンウェハ。

IPC (3件)：

C30B 29/06 ,  B24B 9/00 ,  H01L 21/02

FI (3件)：

C30B 29/06 C ,  B24B 9/00 L ,  H01L 21/02 B