MOSトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-175119
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021441
出願日： 1992年07月02日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】ホットキャリアの発生を有効に抑制しながら、オン電流が大きく取れるMOSトランジスタを提供する。【構成】n型のソース104aとn型のドレイン105aとの間のチャネルの導電型は、ソース104a側ではボロン拡散層108aによりp型となり、ドレイン105a側ではリン拡散層109aによりn型になっている。p型の不純物濃度とn型の不純物濃度とはそれぞれソース104a端とドレイン105a端とで最も高く、それぞれ単調に変化している。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面における一導電型のソースと一導電型のドレインとに挟まれているチャネルの導電型が前記ソース側では逆導電型,前記ドレイン側では一導電型であり、かつ、前記ソース端で最も高濃度の逆導電型,前記ドレイン端で最も高濃度の一導電型であることと、前記チャネルの全ての領域で前記逆導電型の不純物濃度,および前記一導電型の不純物濃度がそれぞれ単調に変化して前記チャネルの途中で真性となることを特徴とするMOSトランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭53-067373
特開昭54-018283

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