特許
J-GLOBAL ID:200903056847370360

半導体チップパッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 合田 潔 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-086118
公開番号(公開出願番号):特開平7-094620
出願日: 1994年04月25日
公開日(公表日): 1995年04月07日
要約:
【要約】【目的】 標準熱疲労テストを容易にパスする組み合わせハンダ/エポキシ樹脂接続部を得る。【構成】 セラミック・チップキャリア110は、回路面130を有するセラミック基板120と、回路面130に実装された少なくとも1個の半導体チップ150と、回路面130上のコンタクトパッド140に機械的および電気的に接続された少なくとも1個のピンとを有している。ピン170とコンタクトパッド140との間の各電気的,機械的接続部は、従来のハンダ接続部を含んでいる。各ハンダ接続部は、エポキシ樹脂を含み標準熱疲労テストに耐えるハンダ接続部を可能にするハンダ接続部に関連して選択される物質で少なくとも部分的に包まれている。
請求項(抜粋):
第1の面と第1の面に向かい合った第2の面とを有するセラミック基板と、前記第1の面に実装された少なくとも1個の半導体チップと、前記セラミック基板に機械的に接続され、前記少なくとも1つの半導体チップに電気的に接続された少なくとも1個のピンとからなる半導体チップパッケージにおいて、前記ピンは、前記セラミック基板の前記第1の面または第2の面上のコンタクトパッドに機械的に接続され、前記ピンと前記コンタクトパッドとの間の機械的接続部と、前記ピンと前記半導体チップの間の電気的接続部は、エポキシ樹脂を含む物質の領域で少なくとも一部分を包まれたハンダ領域を有し、前記物質領域は、前記ハンダ/物質接続部が1時間に3サイクルの割合で2000サイクル、0°Cと100°Cの間の正弦波状熱サイクルを受けても、前記ハンダ領域が200ミリオーム以下の電気抵抗の増加を示すように前記ハンダ領域に関連して選択されることを特徴とする半導体チップパッケージ。
IPC (4件):
H01L 23/10 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 23/50

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