特許
J-GLOBAL ID：200903056851100262
不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-209687
公開番号（公開出願番号）：特開平10-055691
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 高速にデータの書き込みまたは消去を行う不揮発性半導体メモリを提供する。【解決手段】 書き込み/消去電圧またはベリファイ電圧を調整する制御信号を出力するシークエンス制御回路33と、ベリファイ電圧を発生するベリファイ電圧発生回路37と、書き込み/消去電圧を発生するプログラム/消去電圧発生回路39と、シークエンス制御回路33からの制御信号によりベリファイ電圧発生回路37の発生電圧を制御するベリファイ電圧制御回路35と、複数のベリファイ電圧によりベリファイを行うデータコンパレータ31とからなり、ベリファイの結果が「不良」の時に、データ書き込み/消去の深さを判定し、判定結果に基づいて書き込み/消去電圧を好適な電圧に制御する。
請求項（抜粋）：
データ書き込み時に、メモリセルのしきい値電圧をシフトさせるためにメモリセルに対して印加する所定の書き込み電圧を発生させる書き込み電圧発生手段と、ベリファイ時に、データを読み出すためにメモリセルに印加するベリファイ電圧を発生させるベリファイ電圧発生手段と、メモリセルから前記ベリファイ電圧で読み出したデータとメモリセルに書き込まれるべきデータとを比較することによりベリファイを行いベリファイ結果を出力する比較手段とを備えた不揮発性半導体メモリであって、前記ベリファイ電圧発生手段を制御して、前記しきい値電圧のシフト量を検出するために前記ベリファイ電圧を複数種類発生させるベリファイ電圧制御手段と、前記比較手段から出力されるベリファイ結果に基づき、前記しきい値電圧のシフト量を検出し、該シフト量に応じて、再度のデータ書き込みのために発生させる書き込み電圧を調整する書き込み電圧調整手段とを有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
FI (2件)：
G11C 17/00 510 A
, G11C 17/00 530 A
