特許

J-GLOBAL ID：200903056858088721

シリコンウエーハ及び結晶育成方法

発明者： 久保 高行 ,  桑原 眞則
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-367705
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195565
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 全面にわたって欠陥の少ない高品質なウエーハを製造する。【解決手段】 CZ法により単結晶13を育成する。原料融液12を生成する際に、単結晶13の窒素濃度が1×1013atoms/cm3 以上となるように、坩堝3の内底面上に窒化珪素粉末10を投入し、その後で多結晶原料11を装填する。原料融液12から単結晶13を引き上げるときの引き上げ速度を、OSFリングが結晶外周部より内側に生じるか、若しくは中心部で消滅する低速度とする。単結晶13の窒素濃度を1×1013atoms/cm3 以上とすることにより、OSFリングの内側では空孔クラスタが減少し、外側では転位クラスタが消滅する。

請求項（抜粋）：

CZ法を用い、且つOSFリングが引き上げ結晶の外周部より内側に生じるか若しくは中心部で消滅する低速引き上げ条件の単結晶育成工程を経て製造されたシリコンウエーハであって、窒素濃度が1×1013atoms/cm3以上であることを特徴とするシリコンウエーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  C30B 15/02 ,  C30B 29/06 502 H