特許
J-GLOBAL ID:200903056862225431

架橋した金属錯体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 斉藤 武彦 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-574537
公開番号(公開出願番号):特表2002-526548
出願日: 1999年09月08日
公開日(公表日): 2002年08月20日
要約:
【要約】窒素を含有する電子供与基、特にはアミド基を含有する、ホウ素又はアルミニウムで架橋している基を有する第4族の遷移金属錯体。
請求項(抜粋):
下記一般式に対応する第4族の遷移金属錯体:【化1】(式中、 Mは、+4、+3又は+2の酸化状態の、チタニウム、ジルコニウム又はハフニウムである; Y1及びY2は独立して、陰イオン性、環状又は非環状、π-結合した基、NR1、PR1、NR12又はPR12である; Zは、ホウ素又はアルミニウムである; Qは、Mの酸化状態に依存して、中性、陰イオン又は二陰イオン配位子基である; jは、Mの酸化状態及びQの電子的性質に依存して、1、2又は3である; Tは独立して、それぞれ存在する下記である:【化2】(式中、R1は独立してそれぞれ存在する水素、ヒドロカルビル基、トリ(ヒドロカルビル)シリル基、又は、トリ(ヒドロカルビル)シリルヒドロカルビル基であり、前記R1基は、水素を数えずに、原子を20まで含有する; R5は、R1又はN(R1)2であり;かつ、 2つのR1基はR5と共に、又は、1又はそれ以上のR1基はR5と共に、任意に結合して、環構造を形成し得る。))
IPC (3件):
C07F 17/00 ,  C08F 4/645 ,  C08F 10/00
FI (3件):
C07F 17/00 ,  C08F 4/645 ,  C08F 10/00
Fターム (73件):
4H050AA01 ,  4H050AA03 ,  4H050AB40 ,  4J028AA01A ,  4J028AB00A ,  4J028AB01A ,  4J028AC01A ,  4J028AC08A ,  4J028AC10A ,  4J028AC18A ,  4J028AC20A ,  4J028BA00A ,  4J028BA00B ,  4J028BA01B ,  4J028BB00A ,  4J028BB00B ,  4J028BB01B ,  4J028BC12B ,  4J028BC13B ,  4J028BC25B ,  4J028BC26B ,  4J028EB01 ,  4J028EB02 ,  4J028EB04 ,  4J028EB05 ,  4J028EB06 ,  4J028EB07 ,  4J028EB08 ,  4J028EB09 ,  4J028EB10 ,  4J028EB15 ,  4J028EB16 ,  4J028EB18 ,  4J028EB21 ,  4J028EB22 ,  4J028FA02 ,  4J028FA06 ,  4J128AA01 ,  4J128AB00 ,  4J128AB01 ,  4J128AC01 ,  4J128AC08 ,  4J128AC10 ,  4J128AC18 ,  4J128AC20 ,  4J128AD00 ,  4J128AE00 ,  4J128BA00A ,  4J128BA00B ,  4J128BA01B ,  4J128BB00A ,  4J128BB00B ,  4J128BB01B ,  4J128BC12B ,  4J128BC13B ,  4J128BC25B ,  4J128BC26B ,  4J128EB01 ,  4J128EB02 ,  4J128EB04 ,  4J128EB05 ,  4J128EB06 ,  4J128EB07 ,  4J128EB08 ,  4J128EB09 ,  4J128EB10 ,  4J128EB15 ,  4J128EB16 ,  4J128EB18 ,  4J128EB21 ,  4J128EB22 ,  4J128FA02 ,  4J128FA06
引用文献:
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