特許
J-GLOBAL ID:200903056866445959

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 秋田 収喜
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-177958
公開番号(公開出願番号):特開平7-038054
出願日: 1993年07月19日
公開日(公表日): 1995年02月07日
要約:
【要約】【目的】 特性を変化させずにサージ電流などの過大電流から入力回路を保護する。【構成】 接地電位に導通した第1導電型の半導体基板の主面に、第1導電型とは反対導電型の第2導電型領域を有する半導体装置において、他の領域とは電気的に分離し半導体基板とは導通する領域に、信号入力と導通する電極を設け、該電極と半導体基板とをPN接合を介して接続する保護回路を設ける。【効果】 保護回路によってサージ電流などの過大入力による回路破壊を防止できる。過大入力時にのみ保護回路が作動するので、抵抗入力式の回路の特性を変化させない。他の回路とは電気的に分離した領域に、保護回路を設けるので、他の回路に影響を与えない。
請求項(抜粋):
接地電位に導通した第1導電型の半導体基板の主面に、第1導電型とは反対導電型の第2導電型領域を有する半導体装置において、他の領域とは電気的に分離し半導体基板とは導通する領域を設け、該領域に信号入力と導通する電極を設け、該電極と半導体基板とをPN接合を介して接続する保護回路を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 27/04 ,  H01L 21/822

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