特許
J-GLOBAL ID：200903056867463322

不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム

発明者：
原田 浩二

原田 浩二 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 金本 哲男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-260853
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087337
出願日： 1997年09月08日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 ウエハ表面の有機物を除去してSOG膜を形成する。【解決手段】 ウエハWを載置する載置台32と、載置台32に対向してケーシング41を容器31内に設ける。ケーシング41の下面は石英ガラス46で構成する。ケーシング41内には、載置台32上のウエハWに向けて紫外線を照射する照射体42を設ける。ケーシング41内は、不活性ガス供給管47から供給される窒素ガス雰囲気である。ウエハW上の雰囲気は、排気装置61によって一側から排気される。かかる構成を有する不純物除去装置23で処理した後でSOG膜を形成する処理液の塗布処理を行う。
請求項（抜粋）：
基板表面の不純物を除去する装置であって、対向する載置台上の基板に対して所定波長の光を照射して当該基板表面上の空間にオゾンを発生させる照射体と、前記照射体を収納するケーシングと、前記ケーシングにおける前記載置台との対向面に設けられて前記所定波長の光を透過させる透過体と、前記載置台と前記ケーシング間の空間の雰囲気を排気する手段とを備えたことを特徴とする、不純物除去装置。
IPC (2件)：
H01L 21/316 ,  B05D 1/40
FI (3件)：
H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 G ,  B05D 1/40 A
引用特許：
審査官引用 (2件)
  • 処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-131470   出願人：日立東京エレクトロニクス株式会社, 株式会社日立製作所
  • 処理方法及びその装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-307132   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン九州株式会社

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