特許

J-GLOBAL ID：200903056867935640

磁気薄膜メモリ及びその製造方法

発明者： 関口 芳信
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-265669
公開番号（公開出願番号）：特開2002-074937
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 メモリ素子の製造マージンが広く、メモリ素子を微細化する際に問題となる磁性薄膜の反磁界を低減することにより高集積化が可能な、磁気薄膜メモリ素子を提供する。【解決手段】 第1磁性層(2)と、薄い絶縁体で形成されるトンネル障壁層(3)と、第2磁性層(4)とを含んでなる、磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子であって、第2磁性層(4)を導電性中間層(5)を介して第3磁性層(6)と接触させ、第2磁性層(4)および第3磁性層(6)を磁気的に結合させる。

請求項（抜粋）：

第1磁性層と、薄い絶縁体で形成されるトンネル障壁層と、第2磁性層とを含んでなる、磁性トンネル接合を利用した磁気抵抗素子であって、第2磁性層は導電性中間層を介して第3磁性層と接しており、第2磁性層および第3磁性層は磁気的に結合していることを特徴とする磁気薄膜メモリ。

IPC (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12

FI (3件)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12