特許
J-GLOBAL ID：200903056871731200
不揮発性メモリの制御方式
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸山 敏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-231398
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074179
出願日： 1991年09月11日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：
【要約】【目的】 フラッシュEEPROMの消去/書込み方式において、従来よりもオーバヘッド時間を短縮して、迅速な消去/書込み動作を実現する。【構成】 フラッシュEEPROMの書込みに際して、先ず第1ステップにて、実際にデータの書込みを行ないつつ、その動作の確認を行って、実力値Nwを実測し、その後の第2ステップでは、目的とするデータの書込み動作(ステップS27〜S30)のみを確認を行なうことなく前記実力値Nwの回数だけ繰り返し(ステップS31)、その後、書込み動作の確認を行なって、ミスが発生している場合には書込み動作を繰り返す。
請求項（抜粋）：
同一のメモリ領域に対して複数回の消去動作を繰り返すことによって消去が完遂される不揮発性メモリの制御方式において、消去動作を行ないつつ、該消去動作の確認を行なう手続きを繰り返して、消去の完遂が確認されるまでの繰返し回数をカウントし、その後、確認を行なうことなく消去動作を前記カウント値の回数又は前記カウント値に適当な演算処理を施して得られる値の回数だけ繰り返した後、消去対象とした全メモリ領域について消去動作の確認を行ない、消去ミスが発生しているときにのみ、ミスの発生している領域について消去動作を繰り返すことを特徴とする不揮発性メモリの制御方式。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 309 A
, H01L 27/10 434
