特許

J-GLOBAL ID：200903056872727958

半導体電子放出素子

発明者： 平林 敬二 ,  松島 正明
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-067594
公開番号（公開出願番号）：特開平5-135687
出願日： 1991年03月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 高品質のダイヤモンド結晶を得、高い電子放出特性を得る。【構成】ダイヤモンド半導体層を用いた半導体電子放出素子において、前記ダイヤモンド半導体層の結晶欠陥密度を108 個/cm2 以下とする。

請求項（抜粋）：

ダイヤモンド半導体層を用いた半導体電子放出素子において、前記ダイヤモンド半導体層の結晶欠陥密度を108 個/cm2 以下とすることを特徴とする半導体電子放出素子。