特許
J-GLOBAL ID：200903056876604168
マスクパターンの作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-184146
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026360
出願日： 1997年07月09日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 描画パターンの寸法補正によるパターン面積密度の変化に応じて露光量の補正を行い、露光寸法余裕度を拡大できると共に同時に近接効果補正も満足させることができ、高精度なパターン補正が可能になるマスクパターンの作成方法およびマスクパターン作成装置並びにマスク作成装置を提供する。【解決手段】 オフセット手段100によって、設計パターンデータに基づく描画パターンに寸法補正が行われパターンサイズが変更される(オフセット工程)。これにより電子線露光の際の露光寸法余裕度が向上する。次いで、近接効果補正手段200により寸法補正に伴う実質的なパターン面積密度の変化に応じて、寸法補正が行われた描画パターンへの近接効果補正が行われる(近接効果補正工程)。その後、描画手段300により近接効果補正された描画パターンがマスク基板上に描画される(描画工程)。
請求項（抜粋）：
設計パターンデータに基づいて電子線露光用の描画パターンを作成するマスクパターンの作成方法において、設計パターンデータに基づく描画パターンの寸法補正を行うことにより露光寸法余裕度を向上させるオフセット工程と、描画パターンの寸法補正に伴う実質的なパターン面積密度の変化に応じて前記寸法補正された描画パターンへの近接効果補正を行う近接効果補正工程とを含むことを特徴とするマスクパターンの作成方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/30 541 M
, G03F 1/16 B
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 502 W
