MOS型半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056308
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256483
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】MOSトランジスタ回路の代りにダイオード回路を用いた所望のバイアス電位を生成する回路をCMOS回路基板中に容易に実現する。【解決手段】0VバイアスのP型半導体基板1 にはN型拡散領域2 が形成されている。N型の不純物拡散領域2 内にはP型拡散領域3 が形成され、P型拡散領域3 内にはN型拡散領域4 が形成されている。N型拡散領域4 は、整流素子として動作可能なショットキ・バリヤのための不純物濃度を有する。N型拡散領域4 と接触するショットキ接合のための金属電極5 が形成される。N+ ,P+ は、金属とオーミック・コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を有する。N型拡散領域4 とP型拡散領域3 は同電位にショートされる。N型拡散領域2 は0Vより大きい電圧(例えば電源Vcc)に接続される。この構成はCMOS回路(11や12)内に形成される。

請求項（抜粋）：

P型の半導体基板と、前記半導体基板に形成される、前記半導体基板に順方向バイアスされ少なくとも一方の電極が基板電位よりも低い電位に設定されるショットキ・バリヤ・ダイオードと、前記半導体基板上に形成されるMOSトランジスタとを具備したことを特徴とするMOS型半導体集積回路。

IPC (6件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/872 , H02M 3/07

FI (4件)：

H01L 27/04 G , H02M 3/07 , H01L 27/08 321 B , H01L 29/48 Z

前のページに戻る