特許

J-GLOBAL ID：200903056886095415

CVD法

発明者： 岩松 誠一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182127
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029301
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、水素含有の無いCVD絶縁膜を形成する為のCVD法における新しいガス源材料を提供する事を目的とする。【構成】 水素結合を有し無いSi化合物ガス、水素結合を有し無い酸化ガス、水素結合を有し無い窒化ガス、及び/叉は、水素結合を有し無いP、B、Ge、As、及び/叉は Sb等のハロゲン化ガスを用いて、水素含有の無い、CVDによる SiO2、Si3N4、オキシナイトライド、PSG、BSG、BPSG、叉は その他のガラス等の膜を形成する事を特徴とするCVD法。

請求項（抜粋）：

CVD SiO2膜、Si3N4膜、オキシナイトライド膜,PSG 膜、BSG膜、BPSG膜、及び その他のガラス膜等のCVD絶縁膜形成時のガス源として、SiF4 、Si2Cl6、SiCl4、叉は Si2OCl6ガス等を用いる事を特徴とするCVD法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318