特許
J-GLOBAL ID：200903056887813516
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200366
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021705
出願日： 1992年07月03日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】 プリマッチング回路を持つ半導体装置を小型化する。【構成】 入力側及び出力側プリマッチング回路14,17をL字型の構造とし、ゲートリード6及びドレインリード8の方向と、FETチップ1の長手方向が平行となるようにFETチップ1を配置する。
請求項（抜粋）：
接地導体上に配置された高周波用半導体チップと、上記接地導体上に絶縁基板を介して形成され、上記高周波用半導体チップの入,出力インピーダンスを調整するインピーダンス整合回路とを備えた半導体装置において、上記インピーダンス整合回路をL字型の導電層を用いて構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01P 5/02
, H01P 3/08
, H01P 5/08
