特許

J-GLOBAL ID：200903056887882941

縦型MOSFETの製造方法及び縦型MOSFET

発明者： 沢田 雅己
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-021612
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223891
出願日： 1997年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 動作時の抵抗値(ON抵抗)の低減を実現しつつ、寄生容量が小さく、かつゲート酸化膜の絶縁耐圧の低下を防止した縦型MOSFETの製造方法及び縦型MOSFETを提供する。【解決手段】 シリコンエッチング工程によってウエハ主面に第1の溝を形成し、第1の溝の内壁を熱酸化させることで第1の溝の内壁に選択酸化膜を形成し、第1の溝の内壁を選択酸化膜が侵食することにより形作られる第2の溝を、選択酸化膜を除去することで形成し、第2の溝の側壁近傍がチャネルとして使用される、縦型MOSFETの製造方法において、選択酸化膜を1100°C以上、1200°C以下の温度で形成する。

請求項（抜粋）：

シリコンエッチング工程によってウエハ主面に第1の溝を形成し、前記第1の溝の内壁を熱酸化させることで前記第1の溝の内壁に選択酸化膜を形成し、前記第1の溝の内壁が前記選択酸化膜で侵食されることにより形作られる第2の溝を、前記選択酸化膜を除去することで形成する、前記第2の溝の側壁近傍がチャネルとして使用される縦型MOSFETの製造方法において、前記選択酸化膜を1100°C以上、1200°C以下の温度で形成することを特徴とする縦型MOSFETの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 653 A ,  H01L 21/94 A ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 658 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-012167
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067972   出願人：日本電装株式会社