特許

J-GLOBAL ID：200903056898278884

炭化ケイ素単結晶製造装置

発明者： 関 亙 ,  熊谷 祥
出願人/特許権者： 株式会社ブリヂストン
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-344852
公開番号（公開出願番号）：特開2005-112637
出願日： 2003年10月02日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

【課題】 高品質でかつ大型の単結晶を成長させることができる炭化ケイ素単結晶製造装置を提供する。【解決手段】 昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、前記昇華用原料を収容する容器は、容器内部の単結晶成長可能領域近傍に、種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大する断面テーパ状に形成された側壁部を有することを特徴とする前記炭化ケイ素単結晶製造装置。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、 前記昇華用原料を収容する容器は、容器内部の単結晶成長可能領域近傍に、種結晶側から昇華用原料側に向けて内径が拡大する断面テーパ状に形成された側壁部を有することを特徴とする前記炭化ケイ素単結晶製造装置。

IPC (1件)：

C30B29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077SA01 ,  4G077SA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開番号 WO02/053813A1号
  

審査官引用 (3件)

• 単結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-229333   出願人：株式会社デンソー, 株式会社豊田中央研究所
• 坩堝、結晶成長装置、および、結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-020697   出願人：株式会社シクスオン
• 単結晶の成長装置および成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-249634   出願人：工業技術院長, 株式会社デンソー