特許
J-GLOBAL ID：200903056899590270
半導体集積回路装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
開口 宗昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360336
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183108
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】半導体集積回路装置のリフロー作業に起因する熱ストレスによって表面保護膜に生じる亀裂を防止する前記半導体集積回路装置の構造を提供することが目的である。【解決手段】半導体集積回路装置のカバースルーホールの外周囲近傍、特に表面保護膜9に円環状を成す溝13によって構成される熱放射部が設けられていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
パッド電極と、係るパッド電極を覆う表面保護膜と、パッド電極上の前記表面保護膜に形成されたカバースルーホールとを有する半導体集積回路装置において、カバースルーホールの外周囲に熱放射部が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。
Fターム (1件)：
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