特許

J-GLOBAL ID：200903056905978358

分布帰還型半導体レーザ

発明者： 中林 隆志
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075711
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291410
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】 利得結合型の本来の特徴を十分に引き出す分布帰還型半導体レーザを得ることを目的としている。【構成】 光導波領域Aに含まれる活性層1を、バリア層1bを介して発光層となる井戸層1aが1層以上積層してなる量子井戸構造とし、この活性層1との界面に回析格子3を作り込む埋め込み層2の屈折率を、活性層1における井戸層1aの屈折率より小さく、かつ活性層1におけるバリア層1bの屈折率より大きくしたことを特徴とし、上記回折格子が光導波領域Aに活性層とともに含まれる損失層と埋め込み層との界面に作り込まれた場合も同様の構成としたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

光導波領域に含まれる活性層に周期的な利得変動を有する回折格子を作り込み、光を分布的に帰還させて発振を得る分布帰還型半導体レーザにおいて、前記活性層を、バリア層を介して発光層となる井戸層が1層以上積層された量子井戸構造とし、前記活性層との界面に回析格子を作り込む埋め込み層の屈折率を、該活性層における井戸層の屈折率より小さく、かつ該活性層におけるバリア層の屈折率より大きくしたことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。