特許

J-GLOBAL ID：200903056906864798

電界シールド用透明導電膜

発明者： 足立 健治
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-019076
公開番号（公開出願番号）：特開平7-230775
出願日： 1994年02月16日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 電界シールド効果に十分な低い表面抵抗値と、低いヘイズ値と、高い透過率を有し、さらに反射防止効果があって耐湿性に優れた透明導電膜を提供する。【構成】 ガラス基板上に第1層がITO分散シリケート膜、第2層がATO分散シリケート膜、第3層がオーバーコートシリケート膜又は第1層がITO分散シリケート膜、第2層がシリケート膜、第3層がATO分散シリケート膜、第4層がオーバーコートシリケート膜である電界シールド用透明導電膜。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に、第1層がITO分散シリケート膜、第2層がATO分散シリケート膜、第3層がオーバーコートシリケート膜の3層積層からなる電界シールド用透明導電膜であって、第1層のITO分散シリケート膜は、インジウム錫酸化物微粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、0.07〜0.60μmの膜厚を有し、第2層のATO分散シリケート膜は、アンチモン酸化錫微粒子をシリケートマトリックスに分散させた膜であり、0.07〜0.60μmの膜厚を有し、第3層のオーバーコートシリケート膜は、0.08μm以上の厚みの透明なシリケートガラス層であることを特徴とする電界シールド用透明導電膜。

IPC (3件)：

H01J 29/88 ,  H01J 29/89 ,  H05K 9/00