特許

J-GLOBAL ID：200903056911455936

組成物及び半導体装置

発明者： 上島 浩一 ,  高安 礼子 ,  阿部 浩一 ,  野村 豊
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-243397
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064579
出願日： 1999年08月30日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 低誘電率で、低吸湿性を示し、接着性に優れた均一な膜を容易に形成できる、半導体基板の層間絶縁膜及び/又は表面保護膜の形成に好適な組成物並びに信号遅延が小さく、耐湿性が良好な、長期信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】 ポリキノリン樹脂及びシラン化合物を含有してなる組成物並びにこの組成物を用いて形成される膜を半導体基板の層間絶縁膜及び/又は表面保護膜として有してなる半導体装置。

請求項（抜粋）：

ポリキノリン樹脂及びシラン化合物を含有してなる組成物。

IPC (4件)：

C09D179/04 ,  C08L 79/04 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

C09D179/04 Z ,  C08L 79/04 Z ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/90 S

Fターム (27件)：

4J002CM021 ,  4J002EX076 ,  4J002GH00 ,  4J002GQ01 ,  4J038DC001 ,  4J038JC32 ,  4J038JC35 ,  4J038NA21 ,  4J038PB09 ,  5F033GG00 ,  5F033GG04 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033SS22 ,  5F033XX18 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F058AA04 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058AH03