特許

J-GLOBAL ID：200903056914559422

シリコンウエハのエッチング液およびその方法

発明者： 上村 賢一 ,  佐近 正 ,  三浦 晃 ,  垂永 伸二 ,  畑中 裕行
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニッテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104408
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314684
出願日： 1993年04月30日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 シリコン半導体ウエハ製造のためのウエハ化学エッチング液およびその液を使用するエッチング方法を提供する。【構成】 重量%比で、HF/HNO3=0.30〜0.40(HF+HNO3)/CH3COOH=0.80〜3.00(HF+HNO3)/H2O=0.80〜2.90の組成を有する溶液にシリコンを0.36〜0.80mol/リットル溶解したことを特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング液および前記のエッチング液を用い、該エッチング液の温度を20〜60°Cの温度に調整し、ウエハを揺動させながら該エッチング液に浸漬することを特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング方法に関する。

請求項（抜粋）：

重量%比で、HF/HNO3=0.30〜0.40(HF+HNO3)/CH3COOH=0.80〜3.00(HF+HNO3)/H2O=0.80〜2.90の組成を有する溶液にシリコンを0.36〜0.80mol/リットル溶解したことを特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング液。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  C23F 1/08 104 ,  C23F 1/24 ,  H01L 21/308