特許

J-GLOBAL ID：200903056918735420

ビス(t-ブチルアミノ)シランからの窒化珪素の化学気相成長法

発明者： ラビ クマール ラックスマン ,  デビッド アレン ロバーツ ,  アーサー ケネス ホッフバーグ ,  ハーマン ジーン ホッケンハル ,  フェリシア ダイアン カミンスキー
出願人/特許権者： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-281036
公開番号（公開出願番号）：特開平11-172439
出願日： 1998年10月02日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において化学的に不活性な誘電体材料として有用な窒化珪素(Si3 N4 )皮膜の新しい製法を提供する。【解決手段】 アンモニア及び(t-C4 H9 NH)2 SiH2 の化学式で表されるシランから低圧化学気相成長によって窒化珪素皮膜を形成する。

請求項（抜粋）：

アンモニア及び(t-C4 H9 NH)2 SiH2 の化学式で表されるシランを使用して、基材上に窒化珪素の低圧化学気相成長を行う方法。

IPC (3件)：

C23C 16/34 ,  C07F 7/02 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

C23C 16/34 ,  C07F 7/02 Z ,  H01L 21/318 B