特許
J-GLOBAL ID:200903056920037837
平坦化方法及び平坦化装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-307145
公開番号(公開出願番号):特開2000-133623
出願日: 1998年10月28日
公開日(公表日): 2000年05月12日
要約:
【要約】【課題】 良好な平坦化特性を得る。【解決手段】 下地パターン32に応じた凹凸が形成された被処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削処理が行われた被処理基板に対して洗浄処理を行う工程と、この洗浄処理が行われた被処理基板表面に対して化学的機械研磨処理を行う工程とを有する。
請求項(抜粋):
下地パターンに応じた凹凸が形成された被処理基板表面に対して砥石研削処理を行う工程と、この砥石研削処理が行われた被処理基板表面に対して化学的機械研磨処理を行う工程とを有することを特徴とする平坦化方法。
IPC (6件):
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, B24B 7/00
, B24B 37/04
, B24B 51/00
, H01L 21/306
FI (6件):
H01L 21/304 622 X
, H01L 21/304 622 P
, B24B 7/00 A
, B24B 37/04 Z
, B24B 51/00
, H01L 21/306 M
Fターム (24件):
3C034AA08
, 3C034AA13
, 3C034AA17
, 3C034BB15
, 3C034BB84
, 3C034BB87
, 3C034DD10
, 3C043BA09
, 3C043CC04
, 3C043CC07
, 3C058AA04
, 3C058AA07
, 3C058AA18
, 3C058AB03
, 3C058AB08
, 3C058CB01
, 3C058CB03
, 3C058DA12
, 3C058DA17
, 5F043DD12
, 5F043DD16
, 5F043FF07
, 5F043FF10
, 5F043GG02
引用特許:
審査官引用 (8件)
-
半導体基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-252642
出願人:ソニー株式会社
-
半導体の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-055883
出願人:株式会社日立製作所
-
サファイア基板研削研磨方法および装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-332120
出願人:株式会社岡本工作機械製作所
-
特開昭62-068273
-
研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-332117
出願人:株式会社岡本工作機械製作所
-
半導体ウェハの製法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-112914
出願人:コマツ電子金属株式会社
-
半導体装置の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-324718
出願人:キヤノン株式会社
-
基板の搬送方法及び装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-160595
出願人:株式会社荏原製作所, 株式会社東芝
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