特許
J-GLOBAL ID：200903056923628780
半導体-金属-半導体(metal-semiconductor-metal:MSM)型受光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
石川 泰男
, 今井 孝弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-341028
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149887
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】 半導体-金属-半導体(MSM)型受光素子において、生成されたキャリアの走行速度を増大させ、素子応答速度を向上させる。【解決手段】半絶縁性InP基板101上に、ノンドープのInPバッファ層102、ノンドープのInAlGaAs組成傾斜光吸収層103を有機金属気相成長(MOCVD)法にて順次積層する。次に、該光吸収層103の表面に、ショットキー型陰電極104、ショットキー型陽電極105を蒸着法により形成する。組成傾斜光吸収層103は、In0.52Al0.48As(禁制帯幅1.49eV)から表面側のIn0.53Ga0.47As(禁制帯幅0.77eV)までの組成傾斜構造で形成されている。その伝導帯及び過電子帯エネルギー差はそれぞれ0.5eV、0.2eVとなる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上に光を吸収して電子正孔対を生成する光吸収層と、少なくとも1つのショットキー電極と、を有する半導体-金属-半導体(metal-semiconductor-metal:MSM)型受光素子において、
前記光吸収層が、組成傾斜層により構成されており、かつ、半導体基板にほぼ格子整合するInxAlyGa1-x-yAs(0≦x≦1、0≦y≦1)又は、AlvGa1-vPwSb1-w(0≦v≦1、0≦w≦1)半導体で構成されていることを特徴とするMSM型受光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F049MA05
, 5F049MB07
, 5F049NA03
, 5F049NB01
, 5F049PA04
, 5F049QA03
, 5F049QA17
, 5F049QA18
, 5F049QA20
, 5F049SE05
, 5F049SS02
, 5F049SZ12
