特許
J-GLOBAL ID：200903056927358639
金属の精製装置及び精製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352878
公開番号（公開出願番号）：特開2001-172729
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月26日
要約：
【要約】【課題】 高純度のシリコンを効率よく精製できる精製装置および精製方法を提供する。【解決手段】 粗製溶融シリコンSを入れた坩堝2を収納した溶解炉1の上端面を開閉するゲート弁13を設ける。外周面27に高純度シリコン6が晶出した中空回転冷却体4を収納する取出し部14に、下端面を開閉するゲート弁(図4)、下部を大気からシールするガスシール機構(図5,6)、内壁上面からガスをダウンフローさせるガス吹出口(図7)、頂壁を貫通する真空排気管(図8)、高純度シリコンを加熱,溶解させる内部のヒータ(図9)の少なくとも1つを設ける。これによって、溶解炉1内の溶融シリコンSを凝固させることなく、中空回転冷却体4を繰り返し溶融シリコンSに浸漬することができ、上記課題が解決される。
請求項（抜粋）：
溶解炉内に収容された坩堝内の溶融金属中に冷却体を浸漬して、この冷却体の外周面に偏析凝固の原理を用いて高純度金属を晶出させる精製装置において、上記溶解炉の上方に、外周面に高純度金属が晶出した上記冷却体を収納する取出し部が設けられ、上記溶解炉の上端面にこの溶解炉内を密閉するゲート弁が設けられたことを特徴とする金属の精製装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (10件)：
4K001AA02
, 4K001AA23
, 4K001BA23
, 4K001DA01
, 4K001EA02
, 4K001EA08
, 4K001FA14
, 4K001GA13
, 4K001GB02
, 4K001GB08
