特許

J-GLOBAL ID：200903056929748221

金属膜の成膜方法、成膜装置及び記憶媒体

発明者： 池田 太郎 ,  水澤 寧 ,  波多野 達夫 ,  横山 敦 ,  佐久間 隆
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-277044
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043038
出願日： 2005年09月26日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：

【課題】 凹部の最下層の底部のみを選択的に削り取りつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面全域に金属膜を形成することができ、しかも凹部の幅に依存することなく同じ深さだけ底部を削り取って同じ深さの削り込み凹部を形成することができる金属膜の成膜方法を提供する。【解決手段】 不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器34内で金属ターゲット78をイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、金属粒子を処理容器内の載置台44上に載置した被処理体Wにバイアス電力により引き込んで表面に凹部5が形成されている被処理体の表面に金属膜10bを形成する成膜方法において、凹部の最下層の底部を削って削り込み凹部12を形成しつつ凹部内の表面を含む被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

不活性ガスをプラズマ化することにより形成されたプラズマにより真空引き可能になされた処理容器内で金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを含む金属粒子を発生させ、該金属粒子を前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで表面に凹部が形成されている前記被処理体の表面に金属膜を形成する成膜方法において、 前記凹部の最下層の底部を削って削り込み凹部を形成しつつ前記凹部内の表面を含む前記被処理体の表面の全体に前記金属膜を形成する金属膜形成工程を行うようにしたことを特徴とする金属膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

H01L21/88 B ,  C23C14/34 S ,  H01L21/285 S

Fターム (50件)：

4K029AA06 ,  4K029BA16 ,  4K029BA58 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC35 ,  4K029FA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD38 ,  4M104DD39 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104HH14 ,  4M104HH15 ,  5F033HH07 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN13 ,  5F033PP17 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX09 ,  5F033XX13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 研磨スラリー及び研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-259279   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (3件)

• 配線構造の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-318674   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-321287   出願人：日本電気株式会社
• イオン化スパッタリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-111902   出願人：アネルバ株式会社