増幅型固体撮像装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-320589
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150849
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】フォトダイオード表面と開口を規定する金属膜との間に大きな段差があっても、チップの中央部と周辺部における入射光量を揃えることができ、チップの中央部と周辺部で同じ感度を得られる。【解決手段】半導体基板上に、フォトダイオードと信号走査回路部を含む単位セルが2次元アレイ状に配置された撮像領域と、この撮像領域内の各セルからの信号を読み出す信号線とを備えたCMOSセンサにおいて、フォトダイオード22に対して光照射される領域を規定する金属膜26の開口領域の中心位置が、各々対応するフォトダイオード22の中心位置に対して、チップの中心側にずれている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、光電変換部と信号走査回路部を含む単位セルが2次元アレイ状に配置された撮像領域と、この撮像領域内の各セルからの信号を読み出す信号線とを備えた増幅型固体撮像装置であって、前記光電変換部に対して光照射される領域を規定する金属膜の開口領域の中心位置が、各々対応する光電変換部の中心位置に対して、前記撮像領域の中心側にずれていることを特徴とする増幅型固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 27/14 , H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 E , H04N 5/335 V , H01L 27/14 D

Fターム (23件)：

4M118AA06 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CB13 , 4M118FA06 , 4M118FA28 , 4M118FA33 , 4M118FA42 , 4M118GB03 , 4M118GB06 , 4M118GB07 , 4M118GB11 , 4M118GC07 , 4M118GD02 , 4M118GD04 , 4M118GD07 , 5C024AA01 , 5C024CA14 , 5C024EA04 , 5C024GA01 , 5C024GA31 , 5C024GA51

引用特許：

審査官引用 (2件)

固体撮像素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-196084 出願人：ソニー株式会社
特開昭61-228668

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