特許
J-GLOBAL ID：200903056935175080
圧電素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-378321
公開番号（公開出願番号）：特開2007-043054
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】圧電特性を損なうことなく生産性及び歩留まりの向上を図ることができる圧電素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、この基板の上に形成された第1電極膜(基準電極104a)と、この第1電極膜の上に形成された圧電膜105aと、この圧電膜の上に形成された第2電極膜(駆動電極膜106a、検出電極106b,106c)とを備えた圧電素子からなる振動型ジャイロセンサ100において、圧電体薄膜を成膜する成膜工程と当該圧電体薄膜を熱処理して結晶化させる結晶化熱処理工程とを複数回繰り返し行うことで、結晶化された圧電体薄膜の積層構造からなる圧電膜105aを所定の厚みにまで形成する。これにより、層厚方向に均一な結晶性を有する圧電膜を作製することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板の上に形成された第1電極膜と、前記第1電極膜の上に形成された圧電膜と、前記圧電膜の上に形成された第2電極膜とを備えた圧電素子において、
前記圧電膜は、結晶化された複数の圧電体薄膜の積層構造を有する
ことを特徴とする圧電素子。
IPC (6件)：
H01L 41/09
, H01L 41/18
, H01L 41/22
, H01L 41/08
, G01C 19/56
, G01P 9/04
H01L41/08 C
, H01L41/08 L
, H01L41/18 101Z
, H01L41/22 Z
, H01L41/08 Z
, G01C19/56
, G01P9/04
2F105BB01
, 2F105BB14
, 2F105CC06
, 2F105CD02
, 2F105CD06
, 2F105CD11
, 2F105CD13
