特許
J-GLOBAL ID：200903056948007178
ハイブリッド集積回路とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武田 元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-046907
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029741
出願日： 1992年03月04日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 移動通信などの高周波回路に用いられるハイブリッド集積回路、特に電圧制御発振器を小型かつ軽量で、高周波特性ならびに量産性に優れた構造とその製造方法を提供する。【構成】 FET3などの能動素子を有するSi基板1と電気音響素子としてのニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムを用いた表面弾性波共振子2を、酸化珪素膜もしくは珪素膜8を用いて直接接合することによって一体集積化構造とする。
請求項（抜粋）：
Si基板に、ニオブ酸リチウム板またはタンタル酸リチウム板が、酸化珪素膜または珪素膜によって、直接接合されており、前記Si基板に少なくとも能動素子を、前記ニオブ酸化リチウム板またはタンタル酸リチウム板上に電気音響素子を夫々有することを特徴とするハイブリッド集積回路。
IPC (2件)：
引用特許：
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