特許

J-GLOBAL ID：200903056948203031

半導体発光素子

発明者： 藤田 宏元 ,  西谷 克彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072672
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274367
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 光半導体素子の不良発生率に占める割合が極めて高いサイリスタ通電不良の発生を抑制する。【構成】 基板11上には、バッファ層12、ブラック反射層15、n型クラッド層16、発光層17、p型クラッド層18がこの順に形成される。発光層17のドナー不純物の濃度はp型クラッド層18のドナー不純物の濃度より高くなっている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上部に形成されるn型クラッド層と、このn型クラッド層上面に形成される発光層と、この発光層上面に形成されるp型クラッド層とを具備し、前記発光層のドナー不純物の濃度が前記p型クラッド層のドナー不純物の濃度より高いことを特徴とする半導体発光素子。