特許

J-GLOBAL ID：200903056949139892

半導体装置の製造方法

発明者： 猪原 正弘
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-041347
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243832
出願日： 1999年02月19日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】第1の絶縁膜と第2の絶縁膜が積層された構造に対してホールを形成する際、第2の絶縁膜下の第1の絶縁膜がエッチングされるのを防止する。【解決手段】半導体基板上に第1のシリコン窒化膜17を形成する工程と、第1のシリコン窒化膜17上に第2のシリコン酸化膜18を形成する工程と、第1のシリコン窒化膜17をエッチングストッパとして第2のシリコン酸化膜18の一部をエッチングすることにより、第2のシリコン酸化膜18に孔/溝19を形成すると共に、第2のシリコン酸化膜18を露出させる工程と、孔/溝19に露出する第1のシリコン窒化膜17上の一部に孔/溝19の側壁部に接する第2のシリコン窒化膜20を形成する工程と、第1及び第2のシリコン窒化膜17,20に対して等方性エッチングを行い、孔/溝19に露出する第1及び第2のシリコン窒化膜17,20を除去する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜上に、第1の絶縁膜と異なる材料で構成された第2の絶縁膜を形成する工程と、第1の絶縁膜をエッチングストッパとして第2の絶縁膜の一部をエッチングすることにより、第2の絶縁膜に開口部を形成すると共に、該開口部の底面に第1の絶縁膜を露出させる開口部形成工程と、前記開口部の中央部を除いて、該開口部の側壁に接する保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記保護膜及び第1の絶縁膜に対して等方性エッチングを行い、前記開口部に露出する第1の絶縁膜を除去することによって、コンタクトホールを形成するコンタクトホール形成工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 A ,  H01L 29/78 301 Y

Fターム (28件)：

5F033HH04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ18 ,  5F033QQ22 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033SS11 ,  5F033TT07 ,  5F033TT08 ,  5F033XX31 ,  5F040DA14 ,  5F040DB01 ,  5F040EK05 ,  5F040EL01 ,  5F040EL02 ,  5F040EL06 ,  5F040FA16 ,  5F040FA18 ,  5F040FA19 ,  5F040FC21