半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-006525
公開番号（公開出願番号）：特開平11-204767
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 1999年07月30日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極に接続された金属配線をプラズマエッチングにより形成する際に生ずるゲート酸化膜の劣化等を、アンテナ比対策用の領域を別途用意することなく防止する。【解決手段】ゲートアレイは、シリコン基板6の表面内及び表面上の、第1領域AR1内に形成されたpMOSトランジスタ群11と、第2領域AR2内に形成されたnMOSトランジスタ群12と、第1及び第2領域間の第3領域AR3内を両トランジスの配列方向AD1に沿って延伸形成されており、ゲート電極1-1及び1-2にその一端部側が電気的に接続されるアルミニウム配線7とを備える。アルミニウム配線7はその配線途中で更に2方向へ分岐され、分岐配線9-1又は9-2が未使用のトランジスタ20の拡散領域22-1又は22-2にそれぞれ電気的に接続される。

請求項（抜粋）：

ゲートアレイ中の、使用トランジスタのゲート電極にその一端が電気的に接続される配線の一部を、前記ゲートアレイ中の未使用トランジスタの所定の領域に電気的に接続することを特徴とする、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/118 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/82 M , H01L 27/04 A

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