特許

J-GLOBAL ID：200903056951087484

単結晶引上げ装置及びその冷却方法

発明者： 高野 清隆
出願人/特許権者： 株式会社スーパーシリコン研究所
代理人 (1件)： 二瓶 正敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-080351
公開番号（公開出願番号）：特開平11-255575
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：

【要約】【課題】 単結晶引き上げ後の冷却時間を短縮して生産性を向上させる。【解決手段】 石英ルツボ1を加熱するヒータ2の回りには、カーボン繊維により構成された円筒状の断熱材3が水冷チャンバ4の内側面に密接して配置され、断熱材3は上下方向に3つの部材3a〜3cに分割されている。単結晶12の引き上げが終了すると、ヒータ2に対する通電が停止され、水冷チャンバ4の冷却水の温度が急激に上昇しないようにある程度の時間が経過した後、水冷チャンバ4の内側面が露出するように、上方の2つの断熱部材3a、3bがそれぞれシャフト5a、5bにより引き上げられる。水冷チャンバ4の内壁面が内部の高温の雰囲気に接触して水冷チャンバ4内が冷却される。

請求項（抜粋）：

石英ルツボ内の単結晶を加熱するヒータと、前記ヒータの回りを水冷チャンバの内壁面に密接するように配置した断熱材とを有する単結晶引上げ装置において、前記断熱材が上下方向に複数に分割された部材により構成され、単結晶の引き上げ終了後に前記水冷チャンバの内壁面の一部が内部の雰囲気に露出されるように前記断熱材の1つ以上の部材を上又は下方向に移動させて各部材間を離間可能に構成したことを特徴とする単結晶引上げ装置。

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502

FI (2件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 E