特許

J-GLOBAL ID：200903056952035798

薄膜半導体の作製方法

発明者： 大谷 久 ,  福永 健司 ,  三津木 亨
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-200356
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172079
出願日： 1995年07月13日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：

【要約】【目的】 凹凸を有する珪素膜の表面を平滑化する技術を提供する。【構成】 凸部304と凹部305を有し、その凹凸の高低差が301で示され、その平均膜厚が302で示される珪素膜107の表面を平滑化する方法であって、凹部305に残存するようにステップカバレージの悪い酸化珪素膜303を成膜し、さらに残存した酸化珪素膜303をマスクとして凸部304を取り除くことによって、珪素膜107の表面を平滑化する。

請求項（抜粋）：

凹凸を有した珪素膜の表面を平滑化する方法であって、前記珪素膜の表面に酸化珪素膜を成膜する工程と、前記凹凸の凸部に形成された酸化珪素膜を除去し、前記珪素膜の凸部の少なくとも一部を露呈させる工程と、該工程において露呈した前記珪素膜の凸部を除去する工程と、を有することを特徴とする薄膜半導体の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭61-216329
  
• 特開平1-270313
  
• 特開昭52-131471
  
• 特開昭64-027242