特許

J-GLOBAL ID：200903056958639156

III-V族化合物半導体太陽電池

発明者： 高本 達也 ,  池田 英治
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-077626
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274358
出願日： 1995年04月03日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 変換効率の高いIII -V族化合物半導体太陽電池の構造を提供する。【構成】 pn接合化合物半導体のエミッタ・ベース層間のpn接合に対してメサエッチング部が形成され、このメサエッチング部には、反射防止膜を形成しないような構造とし、pn接合に寄生する並列抵抗の抵抗値の低下を防止する。

請求項（抜粋）：

第1導電型ベース層となる第1の化合物半導体層と、該第1の化合物半導体層に接して、その上部に形成された第2導電型エミッタ層となる第2の化合物半導体層と、該第2の化合物半導体層の上部に形成された第1のオーミック電極と、該第1の化合物半導体層の下部に形成された第2のオーミック電極と、該第1の化合物半導体層の上部に形成された反射防止膜層とを少なくとも具備するIII -V族化合物半導体太陽電池において、該III -V族化合物半導体太陽電池の一方の主表面から、該第1および第2の化合物半導体層に達するメサエッチング部が形成され、該メサエッチング部の表面には反射防止膜層が形成されていないことを特徴とするIII -V族化合物半導体太陽電池。