特許

J-GLOBAL ID：200903056958701552

導波路型光変調器

発明者： 首藤 義人 ,  疋田 真 ,  天野 道之 ,  小沢口 治樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 雨宮 正季
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229348
公開番号（公開出願番号）：特開平6-059223
出願日： 1992年08月05日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 変調効率の向上に有効な単一モード導波路構造を有し、マイクロ波と光の速度整合が達成されるように電極構造を最適化した光変調器について、有機高分子材料を用いた低損失で100GHz以上の広い動作帯域を示す導波路型光変調器を提供する。【構成】 導波路層9の膜厚を4〜6μm、該導波路層と上下のクラッド層8、10を併せた膜厚を10〜25μmとし、該導波路層とそれに接するクラッド層8、10の比屈折率差を0.4%〜1.0%とし、下部クラッド層8の下部接地電極6に接する部分および上部クラッド層10のマイクロストリップ電極12に接する部分に、下部クラッド層および上部クラッド層よりも屈折率が小さく、該クラッド層との比屈折率差が2%以上である境界層7、11を有し、上部のマイクロストリップ電極12の幅を該導波路9と上下のクラッド層8、10を併せた膜厚の約2倍にする。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン膜を上部に形成したシリコン基板上に、金属からなる下部接地電極を配し、この上に二次光非線形感受率の大きな物質が溶解している、もしくは結合している高分子を分極処理した材料からなるチャネル導波路層と、この導波路層の左右および上下に、導波路層よりも低屈折率なクラッド層を配し、該上部クラッド層の上に金属からなるマイクロストリップ電極を配した構造をとる導波路型光変調器において、該導波路層の膜厚を4〜6μm、該導波路層と上下のクラッド層を併せた膜厚を10〜25μmとし、該導波路層とそれに接するクラッド層の比屈折率差を0.4%〜1.0%とし、下部クラッド層の下部接地電極に接する部分および上部クラッド層のマイクロストリップ電極に接する部分に、下部クラッド層および上部クラッド層よりも屈折率が小さく、該クラッド層との比屈折率差が2%以上である境界層を有し、上部のマイクロストリップ電極の幅を該導波路と上下のクラッド層を併せた膜厚の約2倍にすることを特徴とする導波路型光変調器。

IPC (2件)：

G02F 1/035 ,  G02B 6/12