特許
J-GLOBAL ID：200903056965103741
気相成長方法・装置および酸素の励起方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288407
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140339
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【目的】高アスペクト比の溝内にステップカバレッジが良好でしかも絶縁性に優れる薄膜を低温で形成することのできる気相成長方法を提供することにある。【構成】本発明の気相成長方法では、試料4を収容した反応容器1内にシリコンを含有するガスとオゾンとを導入するとともに、酸素あるいは酸素を含有するガスを励起して励起酸素を導入しながら試料4の表面に薄膜を形成することを特徴としている。また、試料4を収容した反応容器1内にシリコンを含有するガスを導入するとともに、酸素あるいは酸素を含有するガスを励起して各々オゾンおよび励起酸素を生成しながら導入し、試料4の表面に薄膜を形成することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
試料を収容した反応容器内にシリコンを含有するガスとオゾンとを導入するとともに、酸素あるいは酸素を含有するガスを励起して励起酸素を導入しながら前記試料表面に薄膜を形成することを特徴とする気相成長方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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