特許

J-GLOBAL ID：200903056966420961

強誘電体記憶素子

発明者： 緒方 信人 ,  荻本 泰史
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133833
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330531
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであって、MFSFET型の強誘電体記憶素子において、バッファ層としてSiO2膜とSrTiO3膜とから成る2層バッファ層を用いることにより、キャリア注入の発生を抑制でき、良好な強誘電特性が得られる優れた記憶素子特性の強誘電体記憶素子を提供することを目的とする。【構成】 シリコン基板1表面に2つの不純物拡散層2、3が形成され、シリコン基板1表面の2つの不純物拡散層2、3に挟まれたチャネル領域上にゲート絶縁膜としての強誘電体薄膜4とゲート電極5とが配置された強誘電体記憶素子において、シリコン基板1と強誘電体薄膜4との間にSiO2膜6とSrTiO3膜7とを備えている。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面に2つの不純物拡散層が形成され、該シリコン基板表面の2つの不純物拡散層に挟まれたチャネル領域上にゲート絶縁膜としての強誘電体薄膜とゲート電極とが配置された強誘電体記憶素子において、前記シリコン基板と前記強誘電体薄膜との間にSiO2膜とSrTiO3膜とを備えたことを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (5件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/10 451 ,  G11C 11/22 ,  H01L 29/78 371