特許
J-GLOBAL ID:200903056968154380

集積化圧力センサの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-256925
公開番号(公開出願番号):特開平5-206483
出願日: 1992年09月25日
公開日(公表日): 1993年08月13日
要約:
【要約】【目的】 シリコンウェハと台座との接合時の歪みによる悪影響を低減することができる集積化圧力センサの製造方法を提供することにある。【構成】 シリコンウェハ1に、チップ毎の薄肉のダイヤフラム2と、チップ毎のピエゾ抵抗層と、チップ毎の調整用抵抗体を有する信号処理回路とを形成する。そして、シリコンウェハ1のダイヤフラム2に圧力を印加するための台座用圧力調整通路7を有するガラス台座6上にシリコンウェハ1を接合する。さらに、チップ毎にシリコンウェハ1を通過してガラス台座6の所定深さに及ぶハーフダイシングを行い、ウェハトリミングの圧力感度調整工程における負圧設定時において台座用圧力調整通路7を通してダイヤフラム2への圧力を調整しながらチップ毎に調整用抵抗体の抵抗値を調整する。最後に、チップ毎にシリコンウェハ1及びガラス台座6を裁断するフルダイシングを行う。
請求項(抜粋):
シリコンウェハに、チップ毎の薄肉のダイヤフラムと、チップ毎のピエゾ抵抗層と、チップ毎の調整用抵抗体を有する信号処理回路とを形成する第1工程と、前記台座上に前記シリコンウェハを接合する第2工程と、チップ毎に前記シリコンウェハを通過して前記台座の所定深さに及ぶハーフダイシングを行う第3工程と、チップ毎に前記調整用抵抗体の抵抗値を調整する第4工程と、チップ毎に前記シリコンウェハ及び台座を裁断するフルダイシングを行う第5工程とを備えたことを特徴とする集積化圧力センサの製造方法。
IPC (3件):
H01L 29/84 ,  G01L 1/18 ,  G01L 9/04 101
引用特許:
審査官引用 (16件)
  • 特開平4-151531
  • 特開昭63-168055
  • 特開昭63-148136
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