特許
J-GLOBAL ID：200903056969066476
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196343
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041384
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】バイボーラトランジスタのコレクタ領域とベース引出し用多結晶シリコン膜との間の絶縁性の低下,容量の増加を生じることなくベース抵抗を低下させる。【構成】ベース領域10aとベース引出し用P型多結晶シリコン膜6との間に高濃度のP型多結晶シリコン膜9を形成することによりベース領域10aとほぽ同濃度で高抵抗のP型多結晶シリコン膜10bの膜厚を最小限に抑え、ベース領域10aからベース引出し用多結晶シリコン膜6までの間の接続抵抗を低減させる。
請求項（抜粋）：
一導電型半導体基板上に設けた逆導電型のコレクタ領域と、前記コレクタ領域上に順次積層して設けた絶縁膜及び一導電型の第1の多結晶シリコン膜と、前記第1の多結晶シリコン膜及び絶縁膜を貫通して設け且つ前記絶縁膜の側面をエッチングして第1の多結晶シリコン膜の下面の一部を露出させた開口部と、前記開口部のコレクタ領域上に設けた一導電型のベース領域と、前記第1の多結晶シリコン膜の下面に接続して設けた高濃度一導電型の第2の多結晶シリコン膜と、前記コレクタ領域上に設けて前記第2の多結晶シリコン膜と接続する一導電型の第3の多結晶シリコン膜と、前記開口部の第1,第2及び第3の多結晶シリコン膜の側璧に設けた絶縁性スペーサと、前記スペーサの内側の前記ベース領域の表面に設けた逆導電型のエミッタ領域とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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