特許
J-GLOBAL ID：200903056972590887
薄膜作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丹羽 宏之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-133137
公開番号（公開出願番号）：特開平8-003735
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1996年01月09日
要約：
【要約】【目的】 ガラス等の基板上に薄膜を形成する薄膜作製方法において、表面が平滑で品質の高い薄膜が得られるようにする。【構成】 カソード2からのアーク放電により放電プラズマ流13を発生させ、このプラズマ流13を磁気回路8によって真空容器6内に設置したハース(アノード)7上の蒸発材料15に導く。そして、イオンプレーティング成膜法により、上記プラズマ流13が当たった部分から蒸発した材料を基板12に付着させる。その際、基板12の温度を200°C以下にして成膜を行う。
請求項（抜粋）：
アーク放電を用いたイオンプレーティング成膜法により、薄膜を付着させる基板の温度を200°C以下にして該基板に成膜させることを特徴とする薄膜作製方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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