特許

J-GLOBAL ID：200903056973898419

透明電極および光起電力素子の作製方法

発明者： 西尾 豊 ,  佐野 政史 ,  狩谷 俊光
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 敬介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-337268
公開番号（公開出願番号）：特開2001-152323
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月05日
要約：

【要約】【課題】 透過率が高く、低抵抗の透明電極を作製する。【解決手段】 インジウムとスズの酸化物をターゲットに用いた直流スパッタによる透明電極の成膜時の雰囲気中に、ヘリウムの流量を変化させて導入することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

インジウムとスズの酸化物をターゲットに用いた直流スパッタによる透明電極の作製方法おいて、該透明電極の成膜時の雰囲気中に、流量を変化させながらヘリウムを導入することを特徴とする透明電極の作製方法。

IPC (4件)：

C23C 14/08 ,  C01G 19/00 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C23C 14/08 D ,  C01G 19/00 A ,  G02F 1/1343 ,  H01L 31/04 H

Fターム (42件)：

2H092HA04 ,  2H092MA01 ,  2H092MA04 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA08 ,  2H092NA01 ,  2H092NA18 ,  4K029AA02 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA13 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029EA04 ,  4K029EA05 ,  4K029FA07 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA03 ,  5F051BA16 ,  5F051BA17 ,  5F051BA18 ,  5F051CA15 ,  5F051CA16 ,  5F051CA17 ,  5F051CA18 ,  5F051CA19 ,  5F051CB12 ,  5F051CB13 ,  5F051CB15 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA13 ,  5F051FA15 ,  5F051FA24 ,  5F051FA30 ,  5F051GA02 ,  5F051GA14