特許

J-GLOBAL ID：200903056975614604

プラズマ装置

発明者： 熊谷 浩洋
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-175231
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064883
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】 プラズマが発生する真空チャンバの構成要素をプラズマから保護することを目的とする。【解決手段】 真空チャンバ12内にプラズマ40を生成する反応性イオンエッチング装置等のプラズマ装置10において、プラズマ40から保護すべき真空チャンバ内の部分36,38を、高誘電率を有し且つ誘電正接の値が大きい材料、好ましくはSiCセラミックから構成したことを特徴とする。これにより、SiCセラミック製の部分36,38のプラズマにさらされる面の電位とプラズマ電位とが近似する値となり、当該部分36,38に向かって流れるプラズマ40中のイオンの量が減り、エロージョンが抑制される。

請求項（抜粋）：

真空チャンバ内にプラズマを生成するプラズマ装置において、プラズマから保護すべき前記真空チャンバ内の部分を、高抵抗で高誘電率を有する、誘電正接の値が適度に大きい材料から構成し、当該部分のプラズマにさらされる面の電位とプラズマ電位とが近似する値となるようにしたことを特徴とするプラズマ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

H01L 21/302 B ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205