IC素子への穴加工・金属薄膜成膜装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184175
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083791
出願日： 1986年03月31日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】IC素子において、全てが正常に動作しないICチップを製作後、デバック、修正・不良解析等を行うことができるようにしたIC素子への穴加工・金属薄膜成膜装置を提供する。【構成】IC素子を搭載するステージを設置した反応室を設け、高輝度イオン源と、引出し電極と、静電レンズ光学系と、偏向電極とを備えたイオンビーム鏡筒を設け、IC素子の保護膜表面に少なくとも金属カルボニル化合物ガスをノズルにより吹き付けガス供給手段を設け、ステージ上のIC素子に対して前記集束イオンビームを照射して2次荷電粒子を検出して得られるIC素子のSIM拡大像を観察するための走査イオン顕微鏡を備え、IC素子に対して穴加工を施す制御手段と、その保護膜表面上に、集束イオンビームを照射して金属カルボニル化合物ガスを分解させ薄膜金属を析出させて成膜する制御手段とを備えた。

請求項（抜粋）：

1.既存の配線を有して表面が保護膜で被覆されたIC素子を搭載するステージを設置した反応室を設け、高輝度イオン源と、該高輝度イオン源からイオンビームを引出す引出し電極と、該引出し電極で引出されたイオンビームを集束させる静電レンズ光学系と、該静電レンズ光学系で集束されたイオンビームを偏向させる偏向電極とを備えたイオンビーム鏡筒を設け、前記反応室内のIC素子の保護膜表面に少なくとも金属カルボニル化合物ガスをノズルにより局所的に吹き付けて供給するガス供給手段を設け、前記反応室内において前記ステージに搭載されたIC素子に対して前記集束イオンビームを照射して2次荷電粒子を検出して得られるIC素子のSIM拡大像を観察するための走査イオン顕微鏡を備え、前記反応室内において前記ステージに搭載されて位置合わせされたIC素子の保護膜表面上の所望の箇所に前記イオンビーム鏡筒の偏向電極による偏向を制御して集束イオンビームを照射してIC素子に対して穴加工を施す第1の制御手段と、前記反応室内において前記ステージに搭載されたIC素子の保護膜表面上の所望の箇所を含む領域に、前記ガス供給手段で局所的に吹き付けて供給された金属カルボニル化合物ガスの雰囲気で前記イオンビーム鏡筒の偏向電極による偏向を制御して集束イオンビームを照射することによって金属カルボニル化合物ガスを分解させて局所的に薄膜金属を析出させて成膜する第2の制御手段とを備えたことを特徴とするIC素子への加工・金属薄膜成膜装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 21/268 , H01L 21/82 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/302 D , H01L 21/82 T , H01L 21/88 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭59-168652
特開昭60-245227

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