特許

J-GLOBAL ID：200903056985556289

不揮発性記憶素子

発明者： 松野 知之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031550
公開番号（公開出願番号）：特開平10-229138
出願日： 1997年02月17日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】 微細化が可能でかつより低いCG電圧で書き込みや消去が可能な不揮発性記憶素子を提供する。【解決手段】 半導体基板101と、半導体基板101上に第1絶縁膜104を介して設けられたFG(フローティングゲート)201と、FG201上に第2絶縁膜106を介して設けられたCG(コントロールゲート)107と、CG107の両側における半導体基板101の表面側に設けられたソース108/ドレイン109と、を備えた不揮発性記憶素子において、FG201の表面には、ゲート長方向にわたる3本の溝202が設けられたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、当該半導体基板上に第1絶縁膜を介して設けられたフローティングゲートと、当該フローティングゲート上に第2絶縁膜を介して設けられたコントロールゲートと、当該コントロールゲートの両側における前記半導体基板の表面側に設けられたソース/ドレインと、を備えた不揮発性記憶素子において、前記フローティングゲートの表面には、少なくとも2本の溝が設けられたことを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434