特許

J-GLOBAL ID：200903056988506991

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 野口 修
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-318098
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150112
出願日： 1997年11月19日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】【課題】【解決手段】半導体基板上の酸化膜を除去する手段と、熱窒化膜を形成する手段とを有する半導体製造装置であって、前記酸化膜を除去する手段と前記熱窒化膜を形成する手段とを、高真空下または不活性ガス雰囲気下で接続する手段を有する半導体製造装置,および半導体基板を気相でエッチングする工程と、前記エッチング後、熱窒化処理を施す工程とを有する半導体装置の製造方法において、半導体基板を気相でエッチングする工程の前に、半導体基板を不活性ガスの雰囲気下に置く工程と、該半導体基板を、カセットから不活性ガスを充填した気相エッチングチャンバー内に搬送する工程とを有する半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上の酸化膜を除去する手段と、熱窒化膜を形成する手段とを有する半導体製造装置であって、前記酸化膜を除去する手段と前記熱窒化膜を形成する手段とを、高真空下または不活性ガス雰囲気下で接続する手段を有する、半導体製造装置。

IPC (8件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 21/318 A ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371