特許

J-GLOBAL ID：200903056991763920

窒化ガリウム系薄膜の成長方法

発明者： 遠藤 宏 ,  宮田 邦夫 ,  今井 秀秋
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 一雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265835
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109621
出願日： 1991年10月15日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 紫外〜青色領域の光素子用として最適なGaN系半導体薄膜を得ること。【構成】 GaN系半導体薄膜をガスソースMBE法により作製する際,基板へ原料を間欠的に、もしくは交互に供給する又は原料供給を行わない時間を設けることにより半導体特性の良好な薄膜を得る。【効果】 平担性・結晶性を向上できるために、発光素子用として最適な半導体薄膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

ガスソースMBE法を用いて基板上にIII族元素とV族元素とを交互に供給することを特徴とする窒化ガリウム系薄膜の成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/203 ,  C01B 21/06 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00