特許

J-GLOBAL ID：200903056992043556

半導体装置及びその製造方法

発明者： 鹿野 功
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-101635
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314723
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】実装された半導体チップからこの半導体チップが支障なく分離でき,さらにこの半導体チップが容易に再実装できる構造のバンプを有する半導体チップからなる半導体装置,およびその製造方法を提供する。【構成】配線層115の所定部分には、第1のバンプ106,接着層107,および第2のバンプ108からなる積層構造のバンプが設けられている。

請求項（抜粋）：

表面に半導体素子が設けられた半導体基板と、前記半導体基板の上面を覆いかつ前記半導体素子の所定部に達する接続孔を有する絶縁膜と、前記絶縁膜の上面に設けられかつ前記接続孔を介して前記半導体素子に接続される配線層と、前記配線層の上面の所定部分に設けられたバンプとを有する半導体チップを具備する半導体装置であって、前記バンプは、前記配線層の上面に直接に接続して設けられた第1のバンプと、該第1のバンプの上面に直接に接続して設けられた導電体膜からなる接着層と、該接着層の上面に直接に接続して設けられた第2のバンプと有して構成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭53-023564
  
• 特開昭52-058490
  
• 特開平4-263432