特許

J-GLOBAL ID：200903056997080140

X線分光評価方法および半導体装置の製造方法

発明者： 河角 孝行
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-160917
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006545
出願日： 2002年06月03日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】高い空間分解能を維持しつつ高精度のX線分光評価を行う場合であっても、試料に対する加工領域を大きくしたり、試料から被評価部位を分離させたりしなくて済むようにし、さらにはいわゆるオンライン評価への適用も容易化する。【解決手段】試料に電子線を照射してX線分光評価を行うX線分光評価方法において、試料の被評価部位に隣接する電子散乱領域の少なくとも一部を凹状に空洞化する除去加工ステップと、その除去加工ステップで形成した空洞部分12の一部または全部を、前記被評価部位を構成する元素とは異なる元素の物質13で覆う埋込加工ステップと、前記埋込加工ステップ後の前記被評価部位に対して電子線を照射してX線分光評価を行う評価ステップとを備える。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

試料に電子線を照射してX線分光評価を行うX線分光評価方法において、 前記試料の一部を凹状に除去し、当該試料の被評価部位を薄膜化するとともに、当該被評価部位に隣接する電子散乱領域の少なくとも一部を空洞化する除去加工ステップと、 前記除去加工ステップで形成した空洞部分の一部または全部を、前記被評価部位を構成する元素とは異なる元素の物質で覆う埋込加工ステップと、 前記埋込加工ステップ後の前記被評価部位に対して電子線を照射して当該被評価部位の組成についてX線分光評価を行う評価ステップと を備えることを特徴とするX線分光評価方法。

IPC (3件)：

H01L21/66 ,  G01N23/225 ,  H01J37/20

FI (3件)：

H01L21/66 N ,  G01N23/225 ,  H01J37/20 Z

Fターム (22件)：

2G001AA03 ,  2G001AA05 ,  2G001BA05 ,  2G001CA01 ,  2G001EA00 ,  2G001GA08 ,  2G001KA01 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001NA18 ,  2G001RA10 ,  2G001RA20 ,  4M106AA01 ,  4M106AA02 ,  4M106AA10 ,  4M106AB09 ,  4M106BA02 ,  4M106CB21 ,  4M106DH25 ,  5C001BB07 ,  5C001CC05 ,  5C001CC08